Ultra-Precision Titanium CNC Machining for Semiconductor Equipment

Halfgeleidervacuümkamers en EUV/DUV-lithografie subassemblages vereisen afdichtingsoppervlakken met submicron vlakheid en Ra ≤ 0,4 µm afwerking. Onze 5-assige ultra-precisie freescentra bewerken Grade 2 en Grade 5 Titanium met GD&T-toleranties die gaslekpaden en deeltjesgeneratie bij 10⁻⁹ Torr vacuümniveaus voorkomen.

• Afdichtingsoppervlak vlakheid ≤ 1 µm per 300 mm — voorkomt gaslekkage bij UHV 10⁻⁹ Torr
• Afdichtingsafwerking Ra ≤ 0,4 µm — elimineert microspleten die procesgassen vasthouden
• Submicron GD&T-profielcontrole — heliumlekpercentages < 1×10⁻⁹ atm·cc/sec

De natuurlijke oxidelaag en inherent lage dampspanning van titanium maken het ideaal voor UHV-omgevingen. Onze elektropolijst- en vacuümbakprocessen verminderen de uitgassingssnelheden verder, waardoor de kamerintegriteit voor kritische CVD/ALD dunnefilm-depositieprocessen wordt gegarandeerd.

• Elektropolijsten verwijdert oppervlakteverontreiniging — uitgassingssnelheid < 1×10⁻¹² Torr·L/sec·cm²
• Vacuümbakken bij 250°C desorbeert waterdamp en koolwaterstoffen vóór eindassemblage
• Natuurlijke TiO₂-laag voorkomt waterstofpermeatie bij verhoogde procestemperaturen

CVD- en ALD-sproeierplaten vereisen duizenden precisiegeboorde microgaten die precursorgassen verdelen met atomaire niveau-uniformiteit over 300 mm wafers. Onze CNC-microboring bereikt gatdiameters tot Ø0,2 mm met positionele nauwkeurigheid van ±0,005 mm — wat zorgt voor consistente gasstroomimpedantie over het gehele sproeieroppervlak. Nabewerking elektropolijsten verwijdert microbraampjes en bereikt Ra ≤ 0,1 µm ID-afwerking.

• Microgatboring tot Ø0,2 mm — positionele nauwkeurigheid ±0,005 mm over volledige plaat
• Elektropolijste ID-afwerking Ra ≤ 0,1 µm — elimineert turbulentie en deeltjesnucleatieplaatsen
• 100% optische gatinspecie — verifieert diameter, rondheid en braamvrije conditie

Nabewerking elektropolijsten is kritisch voor halfgeleider gasdistributiecomponenten. Het proces verwijdert de mechanisch vervormde oppervlaktelaag achtergelaten door snijgereedschappen — waarbij microscheuren, braampjes en ingebedde verontreinigingen die deeltjes kunnen loslaten tijdens bedrijf worden geëlimineerd. De resulterende spiegelafwerking (Ra ≤ 0,1 µm) creëert een chemisch schoon oppervlak dat precursoradsorptie weerstaat en kamergeheugeneffecten minimaliseert.

• Elektropolijsten verwijdert 10-20 µm vervormde laag — elimineert microbraampjes en ingebedde verontreinigingen
• Spiegelafwerking Ra ≤ 0,1 µm — voorkomt precursoradsorptie en kamergeheugeneffecten
• Chemische passivering herstelt natuurlijke TiO₂-laag — maximaliseert corrosiebestendigheid tegen procesgassen

Halfgeleidercomponenten ondergaan een gevalideerd meertrapsreinigingsproces na bewerking — beginnend met oplosmiddelontvetting om snijoliën te verwijderen, gevolgd door alkalische en zure wasbeurten in ultrasone baden en eindigend met spoelingen met gedeïoniseerd water. Definitieve verificatie via oplosmiddelextractietest bevestigt koolwaterstofresiduen onder 10 µg per component — wat voldoet aan de zuiverheidseisen van geavanceerde 2nm- en 3nm-waferfabrieken.

• HEPA-gefilterde verticale laminaire luchtstroom — ≤ 100 deeltjes (≥0,5 µm) per ft³
• Positieve drukverschil — voorkomt binnendringen van ongefilterde lucht
• Volledige cleanroom kleding met antistatisch schoeisel — nul menselijke deeltjesverontreiniging

Na de uiteindelijke reiniging worden alle halfgeleidercomponenten overgebracht naar een ISO Klasse 5 (Klasse 100) cleanroomomgeving voor inspectie, verpakking en verzegeling. Elke component wordt dubbel verpakt in antistatisch polyethyleen van cleanroom-kwaliteit, met batchespecifieke labels met reinigingsdatum, lotnummer en koolwaterstoftestresultaten — wat fabriek-klare levering garandeert.

• Ultrasoon ontvetten met halfgeleider-grade oplosmiddelen — verwijdert alle bewerkingsresten
• DI-water spoelen tot 18 MΩ·cm — nul ionische verontreiniging op componentoppervlakken
• Post-reiniging organische verificatie — restverontreiniging < 10 µg/cm²